By visiting this site, you accept the use of cookies. More about our cookie policy.

GOST 26239.8-84

GOST R ISO 15353-2014 GOST P 55080-2012 GOST R ISO 16962-2012 GOST R ISO 10153-2011 GOST R ISO 10280-2010 GOST R ISO 4940-2010 GOST R ISO 4943-2010 GOST R ISO 14284-2009 GOST R ISO 9686-2009 GOST R ISO 13899-2-2009 GOST 18895-97 GOST 12361-2002 GOST 12359-99 GOST 12358-2002 GOST 12351-2003 GOST 12345-2001 GOST 12344-88 GOST 12350-78 GOST 12354-81 GOST 12346-78 GOST 12353-78 GOST 12348-78 GOST 12363-79 GOST 12360-82 GOST 17051-82 GOST 12349-83 GOST 12357-84 GOST 12365-84 GOST 12364-84 STATE STANDARD P 51576-2000 GOST 29117-91 GOST 12347-77 GOST 12355-78 GOST 12362-79 GOST 12352-81 GOST P 50424-92 STATE STANDARD P 51056-97 GOST P 51927-2002 GOST P 51928-2002 GOST 12356-81 GOST R ISO 13898-1-2006 GOST R ISO 13898-3-2007 GOST R ISO 13898-4-2007 GOST R ISO 13898-2-2006 STATE STANDARD P 52521-2006 GOST P 52519-2006 GOST R 52520-2006 GOST P 52518-2006 GOST 1429.14-2004 GOST 24903-81 GOST 22662-77 GOST 6012-2011 GOST 25283-93 GOST 18318-94 GOST 29006-91 GOST 16412.4-91 GOST 16412.7-91 GOST 25280-90 GOST 2171-90 GOST 23401-90 GOST 30642-99 GOST 25698-98 GOST 30550-98 GOST 18898-89 GOST 26849-86 GOST 26876-86 GOST 26239.5-84 GOST 26239.7-84 GOST 26239.3-84 GOST 25599.4-83 GOST 12226-80 GOST 23402-78 GOST 1429.9-77 GOST 1429.3-77 GOST 1429.5-77 GOST 19014.3-73 GOST 19014.1-73 GOST 17235-71 GOST 16412.5-91 GOST 29012-91 GOST 26528-98 GOST 18897-98 GOST 26529-85 GOST 26614-85 GOST 26239.2-84 GOST 26239.0-84 GOST 26239.8-84 GOST 25947-83 GOST 25599.3-83 GOST 22864-83 GOST 25599.1-83 GOST 25849-83 GOST 25281-82 GOST 22397-77 GOST 1429.11-77 GOST 1429.1-77 GOST 1429.13-77 GOST 1429.7-77 GOST 1429.0-77 GOST 20018-74 GOST 18317-94 STATE STANDARD P 52950-2008 GOST P 52951-2008 GOST 32597-2013 GOST P 56307-2014 GOST 33731-2016 GOST 3845-2017 STATE STANDARD P ISO 17640-2016 GOST 33368-2015 GOST 10692-2015 GOST P 55934-2013 GOST P 55435-2013 STATE STANDARD P 54907-2012 GOST 3845-75 GOST 11706-78 GOST 12501-67 GOST 8695-75 GOST 17410-78 GOST 19040-81 GOST 27450-87 GOST 28800-90 GOST 3728-78 GOST 30432-96 GOST 8694-75 GOST R ISO 10543-99 GOST R ISO 10124-99 GOST R ISO 10332-99 GOST 10692-80 GOST R ISO 17637-2014 GOST P 56143-2014 GOST R ISO 16918-1-2013 GOST R ISO 14250-2013 GOST P 55724-2013 GOST R ISO 22826-2012 GOST P 55143-2012 GOST P 55142-2012 GOST R ISO 17642-2-2012 GOST R ISO 17641-2-2012 GOST P 54566-2011 GOST 26877-2008 GOST R ISO 17641-1-2011 GOST R ISO 9016-2011 GOST R ISO 17642-1-2011 STATE STANDARD P 54790-2011 GOST P 54569-2011 GOST P 54570-2011 STATE STANDARD P 54153-2010 GOST R ISO 5178-2010 GOST R ISO 15792-2-2010 GOST R ISO 15792-3-2010 GOST P 53845-2010 GOST R ISO 4967-2009 GOST 6032-89 GOST 6032-2003 GOST 7566-94 GOST 27809-95 GOST 22974.9-96 GOST 22974.8-96 GOST 22974.7-96 GOST 22974.6-96 GOST 22974.5-96 GOST 22974.4-96 GOST 22974.3-96 GOST 22974.2-96 GOST 22974.1-96 GOST 22974.13-96 GOST 22974.12-96 GOST 22974.11-96 GOST 22974.10-96 GOST 22974.0-96 GOST 21639.9-93 GOST 21639.8-93 GOST 21639.7-93 GOST 21639.6-93 GOST 21639.5-93 GOST 21639.4-93 GOST 21639.3-93 GOST 21639.2-93 GOST 21639.0-93 GOST 12502-67 GOST 11878-66 GOST 1763-68 GOST 13585-68 GOST 16971-71 GOST 21639.10-76 GOST 2604.1-77 GOST 11930.7-79 GOST 23870-79 GOST 11930.12-79 GOST 24167-80 GOST 25536-82 GOST 22536.2-87 GOST 22536.11-87 GOST 22536.6-88 GOST 22536.10-88 GOST 17745-90 GOST 26877-91 GOST 8233-56 GOST 1778-70 GOST 10243-75 GOST 20487-75 GOST 12503-75 GOST 21548-76 GOST 21639.11-76 GOST 2604.8-77 GOST 23055-78 GOST 23046-78 GOST 11930.11-79 GOST 11930.1-79 GOST 11930.10-79 GOST 24715-81 GOST 5639-82 GOST 25225-82 GOST 2604.11-85 GOST 2604.4-87 GOST 22536.5-87 GOST 22536.7-88 GOST 6130-71 GOST 23240-78 GOST 3242-79 GOST 11930.3-79 GOST 11930.5-79 GOST 11930.9-79 GOST 11930.2-79 GOST 11930.0-79 GOST 23904-79 GOST 11930.6-79 GOST 7565-81 GOST 7122-81 GOST 2604.3-83 GOST 2604.5-84 GOST 26389-84 GOST 2604.7-84 GOST 28830-90 GOST 21639.1-90 GOST 5640-68 GOST 5657-69 GOST 20485-75 GOST 21549-76 GOST 21547-76 GOST 2604.6-77 GOST 22838-77 GOST 2604.10-77 GOST 11930.4-79 GOST 11930.8-79 GOST 2604.9-83 GOST 26388-84 GOST 14782-86 GOST 2604.2-86 GOST 21639.12-87 GOST 22536.8-87 GOST 22536.0-87 GOST 22536.3-88 GOST 22536.12-88 GOST 22536.9-88 GOST 22536.14-88 GOST 22536.4-88 GOST 22974.14-90 GOST 23338-91 GOST 2604.13-82 GOST 2604.14-82 GOST 22536.1-88 GOST 28277-89 GOST 16773-2003 GOST 7512-82 GOST 6996-66 GOST 12635-67 GOST 12637-67 GOST 12636-67 GOST 24648-90

GOST 26239.8−84 semiconductor Silicon and raw products to get it. Method for the determination of DICHLOROSILANE, trichlorosilane and silicon tetrachloride (Change No. 1)


GOST 26239.8−84

Group B59


STATE STANDARD OF THE USSR

SILICON IS A SEMICONDUCTOR AND SOURCE PRODUCTS TO OBTAIN

Method for the determination of DICHLOROSILANE, trichlorosilane and silicon tetrachloride

Semiconductor silicon and raw materials for its production. Method of dichlorsilane, trichlorsilane and silicon tetrachloride determination


AXTU 1709

Date of introduction 1986−01−01


The decision of the State Committee USSR on standards on July 13, 1984 N 2491* validity installed before 01.01.86 01.01.91**
______________
* See the label «notes»;
** Expiration removed by Protocol No. 7−95 Interstate Council for standardization, Metrology and certification (I & C N 11, 1995). — Note the manufacturer’s database.

The Change N 1, approved and in effect as of 01.01.91 by the resolution of Gosstandart of the USSR from 26.06.90 N 1848

Change No. 1 made by the manufacturer of the database in the text ICS N 10, 1990


This standard specifies a chromatographic method for the determination of DICHLOROSILANE from 0.02 to 10%, of the trichlorosilane from 0.02 to 100% and silicon tetrachloride from 0.02 to 100%, silicon tetrachloride distillation cleared and mixtures of silicon tetrachloride with trichlorosilane.

The method is based on chromatographic separation of the components in an isothermal mode with the subsequent detection of the thermal conductivity and the calculation of the mass fraction of the designated component areas of the chromatographic peaks from the coefficients of relative sensitivity of the detector to the designated components.

1. GENERAL REQUIREMENTS

1.1. General requirements for method of analysis according to GOST 26239.0−84.

2. APPARATUS, MATERIALS AND REAGENTS


Chromatograph lxm-8МД with the thermal conductivity detector, registering the device, the drying unit is gas carrier, the syringe system of input samples.

The chromatographic column of glass or metal with a length of 4 m, with a diameter of 2−4 mm.

Electronic integrator I-02.

Trap of glass (Fig.1) with potassium hydroxide, h. e. a., preformed.

The roughing pump EXT 461М.

Vacuum drying Cabinet at temperatures up to 200 °C

Glasses glass with a capacity of 200 cmГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1).

Porcelain Cup with a diameter of 50 mm.

Funnel glass process with a diameter of 2−4 mm.

Analytical scale.

The stopwatch according to GOST 5072−79*.
______________
* On the territory of the Russian Federation the document is not valid. For additional information, please refer to the link. — Note the manufacturer’s database.

Chromatographic syringes with a scale of 0 to 10 µl.

Boxy glass according to GOST 25336−82 5−10 cmГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1).

Fiberglass.

Tube of PTFE with a diameter of 5 mm.

Sampler glass with a capacity of 50−100 cm,ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1)with PTFE stopcock, (Fig.2).

Damn.1. Glass trap

Glass trap

ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1)


1 — entrance of the carrier gas; 2 — lattice; 3 — outlet of the carrier gas


Damn.1

Damn.2. Sampler

Sampler

ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1)


1 — Teflon valve; 2 — external cavity valve; 3 — glass capacity


Damn.2



Glass pipettes with a capacity of 10−20 cmГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1).

Media solid silenzione: chromaton N-AW, spirogram-2, zitohrom 1 CDMTCS, factions grained 0,250−0,315 mm.

Stationary phase — polymethylsiloxanes rubber SE-30.

The purified trichlorosilane with a mass fraction of impurities not more than 0.01%.

Silicon tetrachloride purified with a mass fraction of impurities not more than 0.01%.

The technical rectified ethyl alcohol GOST 18300−87.


Acetone according to GOST 2603−79.

Ether diethyl H. h

Carrier gas — helium gas.

Liquid nitrogen according to GOST 9293−74.

Chloroform medical GOST 20015−74*.
______________
* On the territory of the Russian Federation the document is not valid. Standards 20015−88. — Note the manufacturer’s database.


Angidro.

The phosphorus pentoxide.

Zeolite Na5X.

(Changed edition, Rev. N 1).

3. PREPARATION FOR ASSAY

3.1. Preparation of the sorbent and filling chromatographic columns

Solid carrier — chromaton N-AW, spirogram-2 or zitohrom 1 CDMTCS — dried in an oven at 120−130 °C for 5−6 h. the Dried medium (~100 g) is weighed in a porcelain Cup with error not more than 0.01 g.

Stationary phase in an amount of 10% by weight of the solid support is weighed in a beaker with an accuracy of at least 0.01 g and dissolved in chloroform (10 cmГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1)per 1 g of the stationary phase).

Solid media poured in a porcelain Cup with a solution of stationary phase in chloroform and thoroughly mixed. Then the solvent evaporate under continuous stirring by heating at 50 °C in a sealed hot plate in a fume hood.

The chromatographic column before filling clean with a cotton swab on the wire and washed successively with acetone, ethanol and diethyl ether. At the end of the washing column, dried at 100−120 °C by blowing a carrier gas for 30 min.

One end clean the dried column closed with a pad of fiberglass and connect the vacuum hose of PVC with a line booster pumping. Through the other end produce the filling of the sorbent column through a funnel under continuous pumping, and lightweight vibration speakers. You should fill the column to a level 3−5 mm below the edge. On completion of filling the second end of the column is also close pad of fiberglass. The filling of glass columns checked visually. If there are voids they eliminate gentle shaking of the column. Metal column filled dosed by volume, amount of sorbent.

Set the completed column in thermostat chromatograph and conditionerit — blow dry the carrier gas for 5−6 h at 250 °C. Heating until 250 °C is performed at a speed of 10−15 °C/min.

Drying of the carrier gas in the gas supply line there are two columns: the first along the gas carrier is filled with angerona, the second a phosphorus pentoxide in the mixture with the zeolite Na5X (10% phosphorus pentoxide by weight of the zeolite). The conditioned column is connected to the detector.

3.2. Preparation of the calibration mixtures

Preparation of the calibration mixture is conducted by mixing the components in the probe.

A calibration mixture comprising trichlorosilane and silicon tetrachloride, and the mass fraction of trichlorosilane in the mixture is about 20%, silicon tetrachloride was about 80%.

The probe weighed on an analytical balance. Poured into the sampler 20 cmГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1)of pure silicon tetrachloride. Pumped a fore pump external cavity tap to remove excess silicon tetrachloride. Weigh the sampling probe of silicon tetrachloride on an analytical balance and from the difference of the masses determine the number entered in the probe of silicon tetrachloride (ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1)) in grams. Introduced into the probe 5 cmГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1)of trichlorosilane and also the gravimetric method determine its quantity (numberГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1)) in grams. Mass proportions of the components (aГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1)) percentage calculated by the formula

ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1),


where ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1) — the mass of the ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1)-th component in the mixture,

The calibration mixture was stored in the sampler, avoiding prolonged contact of the mixture with the atmosphere.

(Changed edition, Rev. N 1).

3.3. Determination of the coefficients of relative sensitivity

Determination of the coefficients of relative sensitivity is on the chromatogram of the calibration mixture.

Include chromatograph chromatograph output and the operating mode in accordance with the manual of the device.

An operating mode of the chromatograph:

   
Option
The nominal value
The current detector
90−100 mA
Temperature thermostat detector
120−130 °C
Column temperature
60 °C
The temperature of the evaporator 120 °C
The flow rate of the carrier gas (helium)

20−40 cmГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1)/min.

The belt speed potentiometer 600 mm/h.


Time device output mode — 2 hours After reaching mode before starting work, carry out training speakers by 7−10-fold dose of the calibration mixture with a volume of 2·10ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1)cmГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1).

The dose is via syringe.

In column ready-to-use device with a syringe injected 1 µl of the calibration mixture and record the chromatogram.

The identification of peaks in chromatograms is carried out according to the order of the output components. In the adopted testing conditions, the first column buirette trichlorosilane, and then silicon tetrachloride.

Area of chromatographic peaks (ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1)s) of trichlorosilane and silicon tetrachloride in volts per second is determined using an electronic integrator.

The coefficient of relative sensitivity for trichlorosilane (aГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1)) silicon tetrachloride is calculated by the formula

ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1),


where ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1), ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1) — mass fraction of trichlorosilane and silicon tetrachloride in the calibration mixture, %;

ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1), ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1) — area of chromatographic peaks of trichlorosilane and silicon tetrachloride in the chromatogram of the calibration mixture, In/sec.

The procedure for removing the chromatogram of the calibration mixture, determining areas of chromatographic peaks and the calculation ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1)repeated three times. Then calculate the arithmetic mean of the results of the three definitions ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1).

The allowable divergence between the extreme values ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1)is 3%. In the case of large discrepancies the definition of the coefficient of relative sensitivity should be restarted.

The coefficient of relative sensitivity for the DICHLOROSILANE to silicon tetrachloride ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1)is calculated by the formula

ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1).

3.4. Preparation of the sample.

The sampler is evacuated to a residual pressure of 10ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1)tor (13 PA). Rolled back to the probe attached to the PTFE tube with a diameter of 5 mm. the Free end of the tube immersed in a container with the sample, and open the tap of the probe. The sample is drawn into the sampler. Close the valve and pumped external cavity tap probe roughing pump to remove excess sample. Selected sample is poured into box.

4. ANALYSIS


An operating mode of the chromatograph in the analysis should be identical to the regime established at registration of the chromatogram of the calibration mixture for the calculation of the coefficients of relative sensitivity. Mode options is given in section 3.3.

Before the analysis, conduct training column chromatograph by 7−10-fold injection of doses of a sample volume of 5 ál. Dosing is by syringe.

Dosing of samples for analyses is carried out using a syringe. The volume of injection syringe doses should be 5−10 µl.

The registration peaks of the chromatograms is carried out in the position of the attenuator that provides the maximum of the peak in the optimal scale interval potentiometer. Area of chromatographic peaks (ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1)) of all components of the sample is determined using an electronic integrator.

Recording of chromatograms and determination of the values ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1)of all the components is repeated three times.

5. PROCESSING OF THE RESULTS

5.1. Identification of components in samples is performed in order of release and held relative to the volumes specified in table.1.

Table 1

   
Component The relative retained volume
DICHLOROSILANE 0,71
Trichlorosilane 1,0
Silicon tetrachloride 2,31

5.2. The mass fraction of components in the sample (ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1)) in percent is calculated by the formula

ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1),


where ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1)is the coefficient of relative sensitivity for the ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1)-th component of silicon tetrachloride;

ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1) — area of chromatographic peak of the ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1)-th component In the/C;

ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1) — the number of components in the sample.

For the results analysis be the arithmetic mean of results of three parallel measurements.

5.3. The difference between the largest and smallest results of the three parallel measurements with a confidence probability ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1)of 0.95 does not exceed the allowable absolute values of the differences of the three results of parallel measurements specified in the table.2.

Table 2

     
Component Mass fraction of component % The absolute allowable difference, %
DICHLOROSILANE
0,02 0,02
  0,1 0,03
  0,5 0,09
  1,0 0,13
  5,0 0,3
  10,0 0,8
Trichlorosilan
0,02 0,01
  0,1 0,02
  1,0 0,12
  5,0 0,2
  10 0,3
  50 1,8
  100 2,6
Silicon tetrachloride
0,02 0,01
  0,1 0,01
  0,5 0,05
  5,0 0,2
  10 0,5
  30 0,8
  50 1,2
  100 1,9

5.4. The correctness of the analysis results on the synthetic control mixtures. For this purpose according to claim 3.2 prepare two mixtures of composition close to that given in table.3.

Table 3

     
Room mix Mass fraction of component in blend, %
  trichlorosilane silicon tetrachloride
1 20
80
2 5,0
95,0



Determine the coefficient of relative sensitivity for the trichlorosilane to silicon tetrachloride according to claim 3.3, using a mixture of 1. Then, in sect.4 carry out the analysis of mixture 2 and div.5 calculate the concentration of trichlorosilane and silicon tetrachloride using in the calculation of the coefficient of relative sensitivity obtained for mixture 1.

The analysis is considered correct if the absolute value of the difference between the results of determination of mass fractions of components in the mixture 2 with confidence probability ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния (с Изменением N 1)of 0.95 does not exceed 0.1% for the trichlorosilane, and 0.7% silicon tetrachloride.